近年来,功率半导体市场需求量持续提升,是半导体行业最大的消费市场,国内也孕育了一批又一批的功率半导体厂商,其中就包含华微电子。华微电子是行业的领头羊,凭借多年技术与经验积累,率领行业推动国产化替代加速。 早在20世纪60年代初,国家就在东北三省布局建设以辽晶、哈晶为代表的十多家半导体厂,但时至今日,只有华微电子生存下来,并逐步发展壮大,成为我国东北地区硕果仅存的整建制半导体企业。 华微电子认为,创新创新、技术进步是发展动力。华微电子一直重视研发和技术人才培养,是国家级企业技术中心,国家创新型企业、国家博士后科研工作站,公司每年对试验室进行可持续投入,以提升自主创新能力建设。 2013年以来,华微电子研发支出不断上升,研发支出总额占营业收入的6%左右,研发人员600人以上,多的时候达到754人,研发人员数量占比始终保持30%以上。 根据相关人员介绍,华微电子技术中心建有专门的实验室,其中包含EDA器件工艺仿真实验室,应用实验室、失效分析实验室、可靠性实验室、大功率实验室、计量实验室,而且失效分析实验室和计量实验室获得CNAS认。 近年来,华微电子通过积极引进先进技术与标准,广泛开展产学研等技术交流与合作,建立技术研发与技术标准相结合的管理机制,注重先进技术的运用、消化和吸收,并逐步在FRD、IGBT、SBD VDMOS等产品开发中推广运用,公司的技术实力也得到显着提高,其中1350VTrench IGBT项目,成功攻克深槽刻蚀与填充、高均匀性多晶回刻与刻蚀工艺、Ti/Tin淀积与RTP退火工艺等难题;Trench IGBT工艺平台的开发成功,让华微电子在功率器件研制开发方面更为全面,将进一步促进国内新型电力电子产业发展,提高节能减排关键部件的国产化水平以及权重。 此外,在新能源汽车双面散热模块,华微电子实现功率模块双面散热超博结构,缩小模块体积,提高模块功率密度和效率,降低功率损耗,适应未来电控系统轻量化要求,产品技术将达到同等国际标杆水平。同时,公司开发高压3300V~4500V的IGBT和FRD产品,实现超高压大功率器件的国产化。 2006年7月,华微电子被全国博士后/管/委/会/公室确认为新设站。